10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0412
4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展
4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单、开关时间短、功率密度大、转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期可靠性的影响和长期可靠性机理研究的相关成果.在动态可靠性方面,对雪崩测试、短路测试和浪涌测试的实验现象和失效机制分析进行了综述.
碳化硅、MOSFET、可靠性
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TN386(半导体技术)
国家重点研发计划;陕西省重点研发计划;陕西省重点研发计划
2022-05-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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