一种抗辐射LVDS驱动电路IP设计

摘要：

低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling,LVDS)在航天通讯领域有着广泛的应用,为解决LVDS驱动器电路在宇宙辐射环境中的单粒子闩锁和总剂量问题,给出了低成本抗辐射解决方案,提出了一种改进结构的抗辐射加固技术,不仅解决了现有工艺下带隙基准电路的温漂问题,而且还可以利用设计的抗辐射单元库来满足抗辐射加固要求,简化了电路设计.基于0.18μm CMOS工艺模型库,利用Hspice进行仿真,该电路传输速率达到400 Mb/s,具有抗单粒子特性,满足航空航天领域对抗辐射LVDS驱动电路的使用要求.

关键词：LVDS;驱动器电路;单粒子闩锁;总剂量;抗辐射加固;温漂问题

所属期刊栏目：22

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：抗辐射应用技术创新中心创新基金KFZC2021010202

在线出版日期：2022-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：67-71