SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述

摘要：

凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合.传统基于硅(Si) MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术.目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考.对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议.

关键词：电磁干扰噪声;能量损耗;栅驱动;SiC MOSFET

所属期刊栏目：22

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金62074028

在线出版日期：2022-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：前插1-前插2,1-11