高可靠性的读写分离14T存储单元设计

摘要：

为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元.基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力.与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1％、20.7％和36.1％.写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限.

关键词：静态随机存储器;高可靠性;读写分离;单粒子效应

所属期刊栏目：22

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61674002

在线出版日期：2022-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：45-51