10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0104
基于不同键合参数的Cu-Sn-Cu微凸点失效模式分析
电迁移已经成为影响微电子产品可靠性最严重的问题之一,长时间电流负载下,互连金属凸点内部由于空洞、裂纹等缺陷导致产品失效风险提高.为了研究不同键合参数下互连金属微凸点的失效模式,基于CB-600倒装键合机,得到了不同键合质量的芯片,并在不同电流密度负载下进行试验,得到了凸点组织演变行为及失效模式,为产品实际使用过程中可能出现的问题提供了参考.
键合参数;失效模式;微凸点;可靠性
22
TN305.94(半导体技术)
2022-02-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1-6