不同厚度GaAs通孔技术研究

摘要：

研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能.阐述了目前GaAs厚度为100 μm的工艺情况,分析了GaAs厚度为150 μm时的深孔刻蚀.通过对刻蚀工艺中不同压强和不同偏置功率的研究,掌握GaAs深度为200μm的深孔刻蚀工艺.根据研究200μm深孔刻蚀工艺的经验,开发深度为250μm的深孔刻蚀工艺.

关键词：砷化镓;厚度;深孔刻蚀;偏置功率

所属期刊栏目：21

分类号：TN405.98(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-52