10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0916
5V双向TVS器件表面缺陷改善
通过对5V双向TVS产品结构和工艺的研究,分析了高温退火工艺条件下衬底外延离子扩散对晶圆边缘处器件漏电和良率的影响.通过优化退火工艺,改善了器件表面缺陷,解决了晶圆边缘处器件漏电过高的问题,将片内良率从93%提升至99%以上.
杂质扩散;漏电;退火
21
TN305(半导体技术)
2021-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
81-84
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10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0916
杂质扩散;漏电;退火
21
TN305(半导体技术)
2021-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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