厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器芯片工艺优化研究

摘要：

核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础设备.PMOS管已广泛应用于γ射线剂量探测领域,提高厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器的制造合格率、降低生产成本有利于厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器在核技术方面的应用.从芯片制造工艺入手,分析关键指标PMOS管阈值电压的影响因素,采取有效控制措施,使厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器的制造成本降低30％.

关键词：PMOS;厚栅氧;阈值电压

所属期刊栏目：21

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2021-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：77-80