单粒子翻转效应的FPGA模拟技术

摘要：

随着半导体工艺节点遵循摩尔定律逐渐缩小,空间环境中辐射诱发的单粒子效应(Single Event Effect,SEE)对集成电路造成的影响却在不断增加.单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)效应是最为普遍的单粒子效应,表现为电路存储单元和时序逻辑中的逻辑位翻转,在集成电路中常采用故障注入技术来模拟单粒子翻转效应.因此,重点研究了目前较为常用的3种故障注入技术,分别是现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)重配置,扫描链和旁路电路,分析了各自的优势和不足,并对未来的发展趋势进行了预测.

关键词：单粒子效应;单粒子翻转;超大规模集成电路;FPGA模拟;故障注入

所属期刊栏目：21

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：模拟集成电路重点实验室基金;国家自然科学基金;航空科学基金

在线出版日期：2021-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：66-72