一种总剂量辐照加固的双栅LDMOS器件

摘要：

提出一种600VN型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移.与常规600VNLDMOS相比,所提出的双栅由厚栅和薄栅构成,其中薄栅位于p阱的N+有源区上方,厚栅为原器件结构的栅,在受到TID辐照时,薄栅结构可以抑制阈值电压漂移,厚栅结构能保证器件耐压,提高了器件可靠性.利用Sentaurus TCAD进行仿真验证,仿真结果表明,双栅器件在保持原有器件转移、输出、开关等电学特性的基础上,在1Mrad(Si)剂量辐射时,常规结构器件阈值电压漂移量为105.8％,而双栅新结构器件的阈值电压漂移量仅为10.2％.

关键词：600VNLDMOS;双栅;总剂量;阈值电压漂移

所属期刊栏目：21

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2021-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：71-76