ONO反熔丝器件可编程特性研究

摘要：

ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件.基于0.6 μm CMOS工艺,分别采用"AF+MOS"和"MOS+AF"集成方法成功制备了ONO反熔丝器件,研究了ONO反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系,同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征,考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性.研究结果表明,采用"AF+MOS"集成方法制备的ONO反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性.

关键词：ONO、反熔丝、击穿电压、导通电阻

所属期刊栏目：21

分类号：O472+.4(半导体物理学)

在线出版日期：2021-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：77-82