基于导通延迟补偿的并联MOS栅控晶闸管均流方法研究

摘要：

阴极短路MOS栅控晶闸管(Cathodic Short MOS-Controlled Thyristor,CS-MCT)在电容型脉冲功率系统中应用广泛,但面临电流极限的问题,尤其是在大电容高电压条件下,这就需要解决MCT器件并联均流的问题.进行理论和仿真分析栅驱动电阻对并联均流的影响,并采用导通延迟补偿法对器件均流进行改善.测试验证MCT并联可以提高电流极限,并验证导通延迟补偿法可以改善器件均流特性.

关键词：MOS栅控晶闸管、并联均流、导通延迟补偿、栅电阻

所属期刊栏目：21

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2021-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：71-76