C波段连续波200 W GaN内匹配功率管设计与实现

摘要：

研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管.设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4mmx12mm.利用负载牵引(Load-pull)和大信号建模技术提取GaN管芯阻抗,根据管芯阻抗进行匹配电路设计.电路设计充分考虑合成损耗等因素的影响,研制的连续波GaN内匹配功率管在4.4～5.0GHz频段内输出功率200W以上,功率增益10dB以上,功率附加效率超过50％.

关键词：连续波、氮化镓、大功率、内匹配功率管、C波段

所属期刊栏目：21

分类号：TN325+.3(半导体技术)

在线出版日期：2021-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：47-51