基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟

摘要：

为研究SOI MOS器件中寄生PN二极管在瞬时剂量率辐射下产生的光电流效应,采用TCAD工具,对0.13 μm SOI工艺的PN二极管进行建模,数值模拟了二极管光电流变化与不同瞬态γ剂量率辐照之间的关系.通过模拟PN+型、P+N型两种二极管结构在不同偏置电压、不同剂量率辐射下的抗瞬时剂量率辐射能力,可以得出当瞬时剂量率为1×1014 rad(Si)/s时,二极管在辐照下产生的光电流增量为辐照前的20％左右.该结论为集成电路器件的抗瞬时剂量率设计与仿真提供了数值参考.

关键词：瞬时剂量率效应、数值模拟、二极管、光电流

所属期刊栏目：21

分类号：TN31;TL99(半导体技术)

资助基金：抗加预研基金41424030401

在线出版日期：2021-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：87-90