10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0309
低压调整二极管击穿特性分析与优化设计
介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术.该技术论证了Si平面结型5.1V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构,以及与此结构相匹配的工艺制程,进而实现5.1V击穿电压特性为硬击穿.此硬击穿优化的关键是对结构设计、氧化工艺的深度研究.
隧道击穿、结构设计、氧化工艺
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TN305(半导体技术)
2021-04-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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