基于0.15 μm GaN工艺的2～18 GHz两级分布式放大器

摘要：

介绍了一款2～18 GHz的宽带放大器MMIC,该MMIC利用0.15 μm GaN HEMT工艺设计加工,采用两级分布式结构设计,实现了较高的整体电路增益.利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计.在2～18 GHz工作频率范围内,电路小信号增益＞20 dB,增益平坦度＜±1.5dB,输入输出回波损耗＜-10 dB,输出功率＞30 dBm,功率附加效率(PAE)＞7％,电路工作电压为25V,最大功耗为7W,芯片面积为4.5 mm ×2.5 mm.

关键词：超宽带、分布式、功率管放大器

所属期刊栏目：21

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56