基于GaAs背孔工艺监控研究

摘要：

在GaAs背孔工艺制作中,通孔良率影响着后续溅镀、电镀金属层与正面金属互联,在该道关键制程中缺乏有效的监控方法.在背孔工艺中,采用FIB、SEM的方式对ICP蚀刻后的晶圆进行裂片分析,这无疑大大增加了研发成本,裂片分析也仅仅是当前晶圆的通孔良率,且分析孔洞数量有限,本身存在局限.提出在晶圆正面依次沉积Si3N4/PI/Si3N4=600 nm/1.6 μm/800nm,采用ICP蚀刻,蚀刻气体为C12/BC13,在光学显微镜(OM) 20倍率下便可观察到晶圆正面第一特征蚀刻通孔印记和印记尺寸较原始尺寸单边大10 μm的第二通孔特征,该监控方式节省研发成本且统计良率直观,可及时反馈通孔良率,监控产品的可靠性、可再现性.

关键词：砷化镓、背孔、良率、监控、ICP蚀刻

所属期刊栏目：21

分类号：TN389(半导体技术)

在线出版日期：2021-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：97-99