GaN HEMT电力电子器件技术研究进展

摘要：

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景.GaN HEMT器件的特性优势与其工艺结构、材料特性密切相关.介绍了耗尽型、增强型GaN HEMT的典型器件结构,并将国内外对结构设计以及材料优化等关键技术问题的研究现状进行了综述,并概括总结了GaN HEMT的技术发展趋势和最新参数指标.

关键词：GaN HEMT、p-GaN、增强型、MIS-HEMT

所属期刊栏目：21

分类号：TN323+.2(半导体技术)

资助基金：安徽省科技重大专项;安徽省高校优秀青年骨干人才国内外访问研修项目;安徽省重点研究;开发计划项目

在线出版日期：2021-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：14-23