10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1014
5V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计
通过设计5V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响.通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1V,各项动态参数均满足产品要求.完成了5V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满足产品要求.
击穿电压、离子注入、退火
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TN305(半导体技术)
2020-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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