掩模干法蚀刻参数的优化研究
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10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1013

掩模干法蚀刻参数的优化研究

引用
文中主要介绍了等离子干法蚀刻工艺的原理和主要的蚀刻参数.采用正交实验的方式,对影响蚀刻速率、蚀刻均匀性以及选择比的蚀刻参数进行分析和优化,最终确定最佳工艺参数,使掩模条宽均匀性提高近3nm.

干法蚀刻、掩模、蚀刻参数、优化

20

TN305.7(半导体技术)

2020-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

62-65

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电子与封装

1681-1070

32-1709/TN

20

2020,20(10)

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