10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1013
掩模干法蚀刻参数的优化研究
文中主要介绍了等离子干法蚀刻工艺的原理和主要的蚀刻参数.采用正交实验的方式,对影响蚀刻速率、蚀刻均匀性以及选择比的蚀刻参数进行分析和优化,最终确定最佳工艺参数,使掩模条宽均匀性提高近3nm.
干法蚀刻、掩模、蚀刻参数、优化
20
TN305.7(半导体技术)
2020-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
62-65
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10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1013
干法蚀刻、掩模、蚀刻参数、优化
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TN305.7(半导体技术)
2020-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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