横向超结器件耐压与比导的优值仿真与实验验证

摘要：

从超结电荷场对电势场的调制机理出发,以等效衬底模型(ES模型)和理想衬底条件为指导,在横向SOI超结器件中利用电荷补偿的思想得到理想衬底.对于已拥有理想衬底的横向超结器件固定其条宽W,长度LSJ,不断增加超结浓度NSJ,并观察得到的仿真结果,通过计算FOM=VB2/Ron,sp的值发现优质在6× 1016 cm-3掺杂浓度下所对应的击穿电压VB(Voltage-Breakdown)和比导通导通电阻(specific on-resistance Ron,sp)最佳折中关系.利用此思想在0.5 μm工艺平台上通过对不同的超结注入剂量的实验,实现了0.8 μm超结条宽下横向超结器件的最高优值.

关键词：超结器件、导通电阻Ron、sp、击穿电压VB

所属期刊栏目：20

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2020-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56