700 V超低比导通电阻的LDMOS器件

摘要：

LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp).然而,VB与RON,sp均强烈受制于漂移区长度及掺杂浓度,因此存在固有的矛盾关系.Triple RESURF技术被广泛使用于优化器件VB与RON,sp之间的矛盾关系.基于传统Triple RESURF技术,提出了一种新型Triple RESURF LDMOS结构,即在P-buried层的上方和下方引入了高浓度的N型掺杂层.相较于传统结构,该结构器件既可以避免表面杂质浓度较高带来的器件提前击穿,又可以降低同等电压下的比导通电阻.测试结果表明该结构可以达到VB=795V,RON,sp=78.3 mΩ· cm2,相比于传统结构的RON,sp降低了26.8％.

关键词：LDMOS、Triple RESURF、比导通电阻、击穿电压

所属期刊栏目：20

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2020-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：43-46