具有三明治集电极结构的新型无电压回跳半超结RC-IGBT

摘要：

提出了一种具有三明治集电极结构的半超结RC-IGBT (SSS-RC-IGBT),该结构通过在N+buffer层和P+/+集电区之间引入高阻N-layer,增大了集电极短路电阻.通过引入集电极侧的半超结,减小了漂移区的电阻,从而消除了器件的电压回跳现象.Sentaurus仿真结果表明,本结构中N/P柱的柱深为70 μm,N/P柱的掺杂浓度为3×1015 cm-3.高阻N-layer的厚度为5μm,掺杂浓度为5×1013 cm-3时,器件不会发生电压回跳现象.由于所提出的器件能够完全开启且具有更高的注入效率,器件正向导通压降降低了9.7％.在正向导通电流密度为100 A/cm2的条件下进行关断时,器件的关断损耗降低了30.6％.同时,器件具有更优的Vce-Eoff折中特性和反向恢复特性.

关键词：逆导型IGBT、电压回跳、半超结、折中特性、反向恢复

所属期刊栏目：20

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：63-68