高压SOIp LDMOS器件电离辐射总剂量效应研究

摘要：

研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移.通过仿真软件对器件的基础电学特性进行了仿真优化,并且对器件电学性能的退化进行了仿真探究,分析器件性能退化的原因.

关键词：总剂量辐射、SOILDMOS、击穿电压、阈值电压

所属期刊栏目：20

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：四川省科技计划资助项目2019YFG0093

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-62