10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0507
一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究
介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件,通过Medici进行了仿真研究,分析了Buffer层对器件电学特性的影响,并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式.优化后器件的功率优值较现有研究结果均出现了30%以上的增加.
Buffer层、分离栅VDMOS、Medici、功率优值
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TN303(半导体技术)
2020-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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