10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0310
氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响
采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性.结果 表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高.掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K-1,击穿电压随温度线性减小,系数为0.012 V·K-1.
非晶硅、薄膜、氟掺杂、介电常数
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TN34(半导体技术)
2020-05-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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