不同层面缺陷地对功率放大器的影响

摘要：

论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计.一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4W功率放大器中进行仿真和实际制板测试.实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 dBm时改善二次谐波13dB,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器.在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 dBm时改善二次谐波28 dB,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器.

关键词：缺陷地、功率放大器、特征阻抗、二次谐波、功率附加效率

所属期刊栏目：19

分类号：TN722.75(基本电子电路)

在线出版日期：2019-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-48