基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

摘要：

采用GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的宽频段、大功率、高效率的功率放大器.通过load-pull技术牵引得出GaN管芯在此频段的输入阻抗和输出阻抗.在设计过程中,采用多节阻抗匹配变换器实现了宽带的功率分配和合成.此款内匹配功率管最终实现了如下性能指标:工作脉宽100 μs,在400 MHz的工作带宽下脉冲输出功率大于800W,漏极效率大于60％.

关键词：大功率、内匹配、功率放大器、S波段

所属期刊栏目：19

分类号：TN722.7(基本电子电路)

在线出版日期：2019-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48