GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

摘要：

通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连.在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响.微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性.分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性.

关键词：GaAs通孔刻蚀、微掩模、聚合物

所属期刊栏目：19

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2019-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-39,44