一种数模转换器的动态闩锁试验方法

摘要：

CMOS器件结构会引起闩锁效应,国内外目前有相关标准来检测集成电路的抗闩锁能力,但大部分集成电路的闩锁试验都是在电路静态工作下进行试验.该论文根据相关试验标准,结合典型集成电路动态工作情况,研究集成电路的动态闩锁能力.

关键词：互补金属氧化物半导体、集成电路、动态闩锁

所属期刊栏目：19

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-37,41