基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计
针对0.13 μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试.测试结果表明,通过调整轻掺杂漏区(LDD)的离子注入条件,冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法,实现了0.13 μm工艺1.5VMOSFET器件关断条件下漏电流低于l pA/μm.
MOSFET器件、低功耗、漏电性能
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TN305.3(半导体技术)
2019-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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