低温漂高抑制比带隙基准电压源设计

摘要：

采用含运算放大器钳位结构的带隙基准核心电路,设计一种低温漂系数高抑制比带隙基准电压源.针对基准核心电路输出电压中高阶温度分量对温漂系数的影响,加入了一种电流抽取与注入结构的高精度曲率校正电路,在基准输出电压随温度上升而增大阶段抽取一部分正温度系数电流,在基准输出电压随温度上升而减小阶段注入一部分正温度系数电流,利用单一的正温度系数电流对基准输出电压高阶温度分量进行校正,达到降低温漂系数的目的.在0.5 μm CMOS工艺模型下,使用Cadence Spectre软件对电路进行仿真,仿真结果表明,温度特性得到了较大的改善,当温度在-40～+125℃范围内时,温漂系数仅为0.5057×104/℃,低频段时电源抑制比为-81.8 dB.带隙基准电路正常工作的最低电源电压为2.4 V.

关键词：带隙基准电压源、曲率补偿、低温漂系数、电流抽取、电流注入

所属期刊栏目：18

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金项目61601395

在线出版日期：2019-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：26-29,44