高速光接收机中低温漂基准电压源设计

摘要：

高速光接收芯片的片上电源稳定性至关重要,片上电源管理单元 (PMU,Power Management Unit)为各子模块提供稳定的供电,低温漂带隙基准电压源是PMU设计中的核心模块.提出一种用于高速光接收芯片的低温漂带隙基准电压源的设计.为克服随机失调对基准电压温度系数的影响,在运放设计中采用了OOS(输出失调存储,Output Offset Storage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,有效降低了不同PVT情况下的失调电压.采用0.18 μm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在运放输入端的初始失调电压为7 mV时,输入失调电压可被降低到0.1 mV以下.量产测试结果显示,温度系数最高为20.5×10-6/℃,不修调精度0.8％以内,输出纹波电压最大为88 μV,满足了高速光接收芯片的稳定性要求.

关键词：带隙基准电压源、输出失调存储、工艺补偿

所属期刊栏目：18

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：21-25