玻璃基RDL传输线的特征阻抗与损耗研究

摘要：

玻璃基转接板由于具有优越的电学性能,是未来高速与高密度封装的关键技术之一.利用实测与仿真的方法,研究了玻璃基上RDL(redistribution layer)传输线尺寸的改变对其特征阻抗的影响情况,为设计具有阻抗管控的玻璃基RDL传输线提供了参考,并对玻璃基和硅基RDL传输线的高频损耗进行了测试.结果显示,在40 GHz时,玻璃基RDL传输线的插入损耗约为-0.2 dB/mm,远高于硅基RDL传输线,因而更适合应用于高频高速产品中.实测与仿真的结果吻合较好.

关键词：玻璃基板、传输线、特征阻抗、TDR、插入损耗

所属期刊栏目：18

分类号：TN305.94(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2014ZX02501

在线出版日期：2019-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7