MTM反熔丝薄膜单项工艺DOE试验设计开发方法

摘要：

MTM (Metal To Metal)反熔丝薄膜工艺是反熔丝工艺的关键技术.介绍了MTM反熔丝薄膜单项工艺开发采用的DOE (Design of Experiment)试验方法.基于CVD (Chemical Vapor Deposition)工艺,通过对射频RF、气体1流量以及基座间距进行DOE试验设计,以厚度均匀性、折射率以及应力等工艺参数响应并通过容宽验证,完成反熔丝薄膜主要参数的工艺菜单开发.主要提供一种采用DOE试验设计进行单项工艺开发的方法,为科研生产中各种关键单项工艺开发提供参考和借鉴.

关键词：单项工艺、反熔丝薄膜、DOE试验设计方法

所属期刊栏目：18

分类号：TN305.8(半导体技术)

在线出版日期：2018-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48