一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器

摘要：

数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著.单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效.在自刷新三模冗余触发器设计的基础上,进行了抗单粒子瞬态辐射效应加固设计,增强了原设计的自刷新三模冗余触发器的抗单粒子瞬态脉冲的能力,为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴.

关键词：单粒子瞬态脉冲、抗辐射加固、触发器、三模冗余

所属期刊栏目：18

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2018-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-38,41