功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善
功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件.而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标.针对UIS的测试方法和机理做了简单的介绍,同时针对某款功率VDMOS产品的UIS改善方案进行了详细的描述.
DMOS、UIS、带氮化硅结构
18
TN306(半导体技术)
2018-09-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
44-48
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DMOS、UIS、带氮化硅结构
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TN306(半导体技术)
2018-09-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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