7nm工艺下片上电感耦合情况研究

摘要：

基于TSMC N7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的PeakView作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制作在最上两层金属上的两个相互之间距离变化的片上电感的耦合情况进行了研究.通过二者电感值的改变,分析了其耦合关系,以丰富射频器件模型.

关键词：片上电感、guardring、ground shielding、耦合、品质因数

所属期刊栏目：18

分类号：TM55(电器)

在线出版日期：2018-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：17-22