一种SOI LDMOS器件辐射效应仿真研究
通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真.使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂量辐射、中子辐射和瞬时剂量率辐射特性,为抗辐射的SOI LDMOS器件提供设计指导.
Sentaurus、仿真模型、总剂量辐射、剂量率辐射、中子辐射
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TN306(半导体技术)
国家自然科学基金项目61674027;四川省应用基础研究项目18YYJC0482;广东省自然科学基金项目2016A030311022;中央高校基本科研业务费项目ZYGX2016J210
2018-08-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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