一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计

摘要：

介绍了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片.采用跨导线性环结构增大摆率,具有快速的瞬态响应.控制环路上下通道不匹配,采用单边米勒补偿方式,形成环路主极点和零点,再引入电阻R3形成补偿零点,环路整体表示为单极点系统,具有很好的稳定性.该LDO的典型输入电压为1.2 V,输出电压为0.6 V,负载电容为10 μF,具有1.5 A的电流抽取和灌出能力,同时集成了2.6 A的电流限功能,满足了DDR内存的应用需求.采用0.35 μm BCD工艺进行仿真验证,仿真结果表明该设计具有很好的瞬态调整能力和稳定性.

关键词：DDR内存驱动、跨导线性环、快速瞬态响应

所属期刊栏目：18

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-17