C波段GaN高功率放大器设计

摘要：

采用内匹配和功率合成技术,设计了C波段GaN HEMT高功率放大器.电路采用6胞芯片进行功率合成,在陶瓷(Al2O3)基片上设计制作功分器,使其输入输出阻抗均为50Ω.实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220 W以上,增益大于11 dB,功率附加效率大于48％,功率合成效率比达到90％.

关键词：GaNHEMT、内匹配、功率放大器、功率合成

所属期刊栏目：18

分类号：TM931

在线出版日期：2018-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：34-38