基于SiGe BiCMOS工艺的射频ESD电路设计

摘要：

随着射频电路工作频率的不断升高,ESD已经成为了影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素.针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化.采用Jazz 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺对该ESD防护电路进行设计和流片.经过测试得到,ESD保护电压最高可达到3000V.更改二极管叉指数取得更高的ESD防护级别,改进后保护电压最高可达到4500 V.

关键词：射频集成电路、静电放电、SiGe BiCMOS工艺

所属期刊栏目：17

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-22