光窗封接工艺对光电外壳抗强冲击影响的研究
通过对三种光窗封接工艺的对比分析,探索了怎样提高带光窗光电外壳的抗强冲击能力.运用有限元软件ANSYS分析MBCY009-W8W的局部封接工艺、高温封接工艺、低温钎焊工艺及其存在微裂纹对抗强冲击能力的影响.按GJB548B-2005方法2002.1对样品进行机械冲击试验,结果表明低温钎焊工艺很好地满足抗强冲击的要求,研究在有强冲击载荷要求的光窗封接上有潜在的应用价值.
局部封接工艺、高温封接工艺、低温钎焊工艺、抗强冲击能力
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TN305.94(半导体技术)
2017-12-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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