高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

摘要：

IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)已得到广泛应用.为提高封装阶段的成品率,需对芯片的高温漏电特性进行测试.通过对芯片测试参数的分析,提出了可通过对Vgth(阈值电压)的测试、比对,实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正.

关键词：IGBT、阈值电压、高温、漏电流

所属期刊栏目：17

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16