反应离子刻蚀硅槽工艺研究

摘要：

在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀.通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法.该方法能够制作出深度6 μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发.

关键词：硅槽刻蚀、氯气、溴化氢、反应离子刻蚀、光电继电器、硅电容

所属期刊栏目：17

分类号：TN405.98+3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：41-43