基于铜氧化物的电阻存储器工艺优化

摘要：

针对铜氧化物电阻存储器,通过优化硅化、氧化以及上电极制备等工艺得到具有良好性能的存储单元.通过选取合适的机台,形成了厚度符合需求的均匀铜氧化层.在氧化之前进行硅化处理,很好地解决了氧化层空洞的问题,提高了存储器可靠性.在铜氧化过程中调节氧气比例,增加氧化后高温退火工艺,提高铜氧化物薄膜中氧空位的比例,从而提高了电阻转换特性.发现钛与氮化钛复合上电极中钛的比例对存储特性影响很大,当钛与氮化钛的比例较小时高低阻态最稳定,电阻转换特性更好.

关键词：电阻存储器、铜氧化物、硅化、氧化

所属期刊栏目：17

分类号：TN305.5(半导体技术)

在线出版日期：2017-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40