Ku波段GaN单片低噪声放大器的研制
研制了一款Ku波段GaN单片低噪声放大器,该放大器采用了GaN 0.25 μm Ku功率工艺,工作电压为10V.在12~18 GHz频带内,噪声NF≤2.9 dB,增益G≥20 dB,输入驻波比VSWR1≤1.8,输出驻波比VSWR2≤1.5.该芯片在16 GHz下,承受38 dBm的大功率输入脉冲(周期为1 ms,占空比为10%)10 min,经测试未发现低噪声放大器芯片烧毁的现象.
低噪声放大器、耐功率、GaN、单片
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TN722.3(基本电子电路)
2017-07-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
27-30,35