基于InP HBT的5GS/s采样保持电路设计
基于0.7 μm、ft=280 GHz的InP HBT工艺设计了一种双开关宽带超高速采样保持电路.芯片面积1.5 mm×1.8 mm,总功耗小于2.1W.仿真结果表明,电路可以在5 GS/s采样速率下正常工作.当采样速率分别为5 GS/s和1 GS/s时,在输入信号功率为4 dBm的情况下,采样带宽分别为16 GHz和20 GHz;在输入信号功率为4 dBm且其频率小于5 GHz的情况下,电路的SFDR分别不低于43 dBc和50 dBc.
采样保持电路、超高速、宽带、磷化铟、异质结双极晶体管
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
2017-06-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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