抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究

摘要：

基于0.18 μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8VNMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化.研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5.75年,满足在1.1 Vdd电压下工作寿命大于0.2年的规范要求.探索总剂量辐射效应与热载流子效应的耦合作用,对比辐照与非辐照器件的热载流子损伤,器件经辐照并退火后,受到的热载流子影响变弱.评估加固工艺对器件HCI可靠性的影响,结果表明场区总剂量加固工艺并不会造成热载流子损伤加剧的问题.

关键词：辐射加固、总剂量效应、热载流子效应、0.18 μm

所属期刊栏目：17

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2017-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：30-33,48