1200V IGBT的性能优化

摘要：

主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法.理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200VIGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdscn)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数.

关键词：IGBT、FS-IGBT、JFET注入、JFET退火、Pring注入、击穿电压、饱和压降

所属期刊栏目：16

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2017-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-47